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DMN3026LVT-7  与  BSL302SN H6327  区别

型号 DMN3026LVT-7 BSL302SN H6327
唯样编号 A36-DMN3026LVT-7 A-BSL302SN H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.5mm
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@6.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 643 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 12.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TSOT-23-6 PG-TSOP6-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 6.6A(Ta) -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 3mm
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 4,623 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7612
200+ :  ¥0.6201
1,500+ :  ¥0.5629
3,000+ :  ¥0.5265
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 30V 6.6A(Ta)

¥0.7612 

阶梯数 价格
70: ¥0.7612
200: ¥0.6201
1,500: ¥0.5629
3,000: ¥0.5265
4,623 当前型号
AO6402A AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C

¥0.5764 

阶梯数 价格
90: ¥0.5764
200: ¥0.4706
1,500: ¥0.4277
1,872 对比
NTGS4141NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT23-6

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.265
745 对比
IRFTS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP

暂无价格 0 对比
IRLTS6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17.5mΩ@8.3A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 6-TSOP

暂无价格 0 对比
BSL302SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSL302SNH6327XTSA1_PG-TSOP6-6 P-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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